主要变化
- 申请规则得到完善，要求提交独创性声明、在图样中明确标注独创性部分，并禁止弄虚作假行为。
- 侵权救济措施得到强化，包括在损失或获利难以确定时参照许可使用费倍数确定赔偿，以及对严重违法行为适用惩罚性赔偿。
- 权利转让、许可、质押、共有以及对职务创作人员给予法定奖励的规则进行了更新，以促进实际应用。
中国国务院总理李强签署国务院令，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》。该条例影响在中国内地从事布图设计创作、转让、许可或质押的集成电路设计人员、科技企业、科研实体及相关机构。据司法部和国家知识产权局（CNIPA）负责人介绍，此次修改是对2001年出台的原条例进行的更新，以适应集成电路技术的快速发展，完善登记和管理制度，并与国内相关法律及国际条约相衔接。修订后的条例预定于今年10月15日起施行。
修订后的框架确立了更为完善的申请和审查程序。申请必须基于真实的创作活动，不得弄虚作假，并须附带独创性声明。提交的样品或图样必须明确标注独创性部分。条例还规定了驳回不合规申请、撤销不当登记的布图设计，以及恢复因不可抗力或其他正当理由丧失的权利的程序。
为加强专有权保护，侵权赔偿将根据受到的实际损失或侵权人的违法所得确定。在上述数额难以确定时，将参照许可使用费的倍数合理计算赔偿额。对于情节严重的侵权行为，将适用惩罚性赔偿。
为促进实际应用，要求相关部门加强公共服务，同时法人或非法人组织须对其主持下完成布图设计创作的合规人员给予合理的奖励和报酬。条例进一步完善了权利转让、许可和质押的要求，并规范了共有人的权利行使和费用分配。施行后，有关部门计划重点做好政策宣传、完善配套制度并确保执法到位。
受影响对象
在中国内地从事布图设计权利转让、许可或质押的集成电路设计人员、半导体企业、科研院所、法人及相关实体。
跨境背景
在中国内地持有或获取集成电路布图设计的外国科技公司及法律实体，必须遵守修订后的登记、独创性声明、共有及许可规则。
后续关注事项
- 关注国家知识产权局（CNIPA）发布的实施细则和监管指南。
- 查阅已公布的国务院令全文，以获取确切的条款序号和生效年份。
本文仅提供一般性信息，不构成法律意见。必要时请查阅官方文本并根据您的具体情况寻求专业建议。
本文系结合本页面链接的官方来源在 AI 辅助下自动生成。翻译与说明不能替代官方文本。